1976 मा, Zumsteg et al. रुबिडियम टाइटानाइल फस्फेट (RbTiOPO) बढ्नको लागि हाइड्रोथर्मल विधि प्रयोग गरियो₄, RTP) क्रिस्टल भनिन्छ। RTP क्रिस्टल एक orthorhombic प्रणाली हो, mm२ बुँदे समूह, P_na21 अन्तरिक्ष समूह, ठूलो इलेक्ट्रो-अप्टिकल गुणांक, उच्च प्रकाश क्षति थ्रेसहोल्ड, कम चालकता, फराकिलो प्रसारण दायरा, गैर-डेलीकसेन्ट, कम सम्मिलन हानि, र उच्च पुनरावृत्ति आवृत्ति कार्यको लागि प्रयोग गर्न सकिन्छ (100 सम्म) को व्यापक फाइदाहरू छन्। kHz), आदि। र बलियो लेजर विकिरण अन्तर्गत कुनै खैरो चिन्ह हुनेछैन। हालका वर्षहरूमा, यो इलेक्ट्रो-ओप्टिक Q-स्विचहरू तयार गर्नको लागि एक लोकप्रिय सामग्री भएको छ, विशेष गरी उच्च दोहोरिने दर लेजर प्रणालीहरूको लागि उपयुक्त।.

आरटीपीका कच्चा पदार्थहरू पग्लिएपछि कुहिन्छन्, र परम्परागत पिघल्ने तरिकाबाट उत्पादन गर्न सकिँदैन। सामान्यतया, पिघलने बिन्दु कम गर्न फ्लक्सहरू प्रयोग गरिन्छ। कच्चा पदार्थमा ठूलो मात्रामा फ्लक्स थपिएका कारण, यो’ठूलो आकार र उच्च गुणस्तर संग RTP बढ्न धेरै गाह्रो छ। 1990 मा वाङ जियाङ र अरूले 15 को रंगहीन, पूर्ण र एकसमान RTP एकल क्रिस्टल प्राप्त गर्न सेल्फ-सर्भिस फ्लक्स विधि प्रयोग गरे। mm×44 mm×34 mm, र यसको प्रदर्शन मा एक व्यवस्थित अध्ययन आयोजित। 1992 मा Oseledchiket al। 30 को आकारमा RTP क्रिस्टलहरू बढ्नको लागि समान स्व-सेवा प्रवाह विधि प्रयोग गरियो mm×40 mm×60 मिमी र उच्च लेजर क्षति थ्रेसहोल्ड। 2002 मा कन्नन et al। MoO को सानो मात्रा प्रयोग गरियो₃ (०.००२ mol%) लगभग 20 को आकारको साथ उच्च-गुणस्तरको RTP क्रिस्टलहरू बढ्नको लागि शीर्ष-बीउ विधिमा प्रवाहको रूपमा। mm 2010 मा रोथ र Tseitlin प्रयोग गरी क्रमशः [100] र [010] दिशा बीज, शीर्ष-बीज विधि प्रयोग गरेर ठूलो आकारको आरटीपी बढाउन।

KTP क्रिस्टलसँग तुलना गर्दा जसको तयारी विधि र इलेक्ट्रो-अप्टिकल गुणहरू समान छन्, RTP क्रिस्टलहरूको प्रतिरोधात्मकता 2 देखि 3 अर्डर म्याग्निच्युड बढी हुन्छ (10⁸ Ω·सेमी), त्यसैले RTP क्रिस्टलहरू इलेक्ट्रोलाइटिक क्षति समस्याहरू बिना EO Q-स्विचिंग अनुप्रयोगहरूको रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ। 2008 मा Shaldinet al। लगभग ०.५ को प्रतिरोधात्मकता संग एकल-डोमेन RTP क्रिस्टल बढाउन शीर्ष-बीज विधि प्रयोग गरियो।×10¹² Ω·सेमी, जुन ठूलो स्पष्ट एपर्चरको साथ EO Q-स्विचहरूको लागि धेरै लाभदायक छ। 2015 मा Zhou Haitaoet al। रिपोर्ट गरियो कि आरटीपी क्रिस्टलहरू एक-अक्ष लम्बाइ 20 भन्दा बढी छन् मिमी हाइड्रोथर्मल विधि द्वारा बढेको थियो, र प्रतिरोधकता 10 थियो¹¹~१०¹² Ω·सेमी RTP क्रिस्टल एक द्विअक्षीय क्रिस्टल भएकोले, यो EO Q- स्विचको रूपमा प्रयोग गर्दा LN क्रिस्टल र DKDP क्रिस्टल भन्दा फरक छ। जोडीमा एउटा RTP 90 घुमाउनुपर्छ°प्राकृतिक birefringence को लागि क्षतिपूर्ति गर्न प्रकाश को दिशा मा। यो डिजाइनलाई क्रिस्टलको उच्च अप्टिकल एकरूपता मात्र आवश्यक पर्दैन, तर Q-स्विचको उच्च विलुप्तता अनुपात प्राप्त गर्न दुई क्रिस्टलको लम्बाइ सकेसम्म नजिक हुन आवश्यक छ।

एक उत्कृष्ट रूपमा EO Q-स्विचing संग सामग्री उच्च पुनरावृत्ति आवृत्ति, RTP क्रिस्टलs आकार को सीमा को अधीनमा जुन ठूलाका लागि सम्भव छैन स्पष्ट एपर्चर (व्यावसायिक उत्पादनहरूको अधिकतम एपर्चर मात्र 6 मिमी छ)। तसर्थ, RTP क्रिस्टल को तयारी संग ठूलो आकार र उच्च गुणस्तर साथै मिल्दो प्रविधी को RTP जोडीहरू अझै आवश्यक छ को ठूलो मात्रा अनुसन्धान कार्य.